19 сентября 2022 г. госкорпорация «Росатом» создала АО
«Научно-производственное объединение «Критические информационные системы»» (НПО
КИС) [1]. Госкорпорация займется выпуском электроники и электронных компонентов
для субъектов критической информационной инфраструктуры (КИИ). Для
этих целей в НПО КИС был создан отдел "слияний и поглощений",
представители которого ведут переговоры о возможном
приобретении бизнеса с разработчиками микроэлектроники, технологическими компаниями и
организациями по производству электронного оборудования.
На базе НПО КИС
"Росатом" планирует выстроить "крупный вертикально
интегрированный холдинг для работы на рынке электроники и микроэлектроники. О создании
научно-производственного объединения, которое бы специализировалось на
разработке доверенных программно-аппаратных комплексов для КИИ, шла речь в
указе Президента РФ №166 от 30.03.2022 г.
Субъектами критической информационной инфраструктуры
являются государственные учреждения, госструктуры, юридические лица или
индивидуальные предприниматели, работающие в наиболее важных секторах
экономики, к которым относятся здравоохранение, наука, транспорт, связь,
энергетика, банковские и финансовые рынки, топливно-энергетический комплекс,
атомная энергетика, национальная оборона, ракетная и аэрокосмическая,
горнодобывающая, металлургическая и химическая промышленность.
По мнению основателя Научно-производственного центра
«Электронные вычислительно-информационные системы» (НПЦ «Элвис») Я. Петричковича, идея
создания производителя и разработчика микроэлектроники и электроники на базе
«Росатома», а также центра компетенций по этому направлению адекватна: «У
Росатома есть опыт управления сложными технологическими проектами, выход на
международные рынки и достаточный объём средств для инвестиций в этот сегмент».
Электронная
промышленность в СССР
В начале
шестидесятых годов по многим научно-техническим направлениям Советский Союз
занимал ведущее место в мире: первый в мире спутник, запуск человека в космос,
атомный ледокол, компьютер мощностью выше миллиона операций в секунду, ПРО и
многое другое. Всё это было бы невозможно без развития электроники. Серийное
производство транзисторов Советский Союз и США начали практически одновременно
в 1949 г. [2]. В 1961 г. был создан Госкомитет по электронной технике. Позже он
был преобразован в Министерство электронной промышленности, объединившее
разрозненные до этого предприятия.
Практически одновременно с американской фирмой Fairchild в 1962 г. начались в
СССР работы по созданию интегральных схем. В НИИ «Пульсар», НИИ-35, в КБ-1
(ныне НПО «Алмаз») перешли на планарный кремний. В КБ Рижского завода полупроводниковых приборов осенью 1962 г. Ю.В.
Осокиным были
получены опытные образцы германиевой твердой схемы ИС
Р12-2. Таким
образом, 1962 г. стал годом рождения микроэлектронной промышленности
одновременно и в США, и в СССР. 8 августа 1962 г. вышло Постановление ЦК
КПСС и СМ СССР № 831-353 о создании Центра микроэлектроники и других
предприятий микроэлектроники.
А.И. Шокин, возглавлявший
ГКЭТ, с группой специалистов из НИИ-35 и госкомитета пришёл к выводу о
необходимости создания новой подотрасли – микроэлектроники, объединяющей
систему НИИ, КБ, опытных и серийных заводов страны, решающих все специальные
проблемы по созданию и тиражированию изделий микроэлектроники и всего для этого
необходимого. Головной организацией подотрасли должен был стать инновационный
Центр микроэлектроники в строящемся городе "Спутник", будущем
Зеленограде. В Москве, Ленинграде, Киеве, Минске, Воронеже, Риге, Вильнюсе,
Новосибирске, Баку и других городах создавались НИИ с опытными заводами и
серийные заводы с КБ для массового производства: интегральных схем, специальных
материалов, специализированного технологического и контрольно-измерительного оборудования.
Основополагающей
идеей, определившей успех Научного центра, был комплексный, замкнутый характер
центра с организацией всех необходимых НИИ и опытных заводов для исследования,
разработки и производства ИС, материалов и технологий [3].
По состоянию на 1 июня 1970 г. в институтах и КБ НЦ работало 12 924
человека, на заводах 16 154 человека. В 1976 г. на базе НЦ было создано НПО
“Научный центр”: 39 предприятий в разных городах страны с персоналом около 80
тыс. человек. Благодаря такой концентрации ресурсов результаты Минэлектронпрома
хорошо зарекомендовали себя на уровне мировой микроэлектроники. Уже первое
изделие — радиоприемник “Микро” – не имел равных в мире. Гибридные ИС серий
Тропа, Трапеция, Терек, Посол, Тактика … соответствовали мировому уровню.
Кульминацией соревнования с мировыми лидерами стал 1979 г., когда в НИИТТ была
разработана однокристальная 16-разрядная ЭВМ К1801ВЕ1. По совокупности
параметров она превосходила зарубежные аналоги. На основе К1801ВЕ1 был сделан
первый в стране экспериментальный персональный компьютер "Электроника
НЦ-80-10". Разработки зеленоградского НЦ в те годы соответствовали
мировому уровню.
"В 1970-1980-е гг.
существовало только три страны с развитой электроникой: США, Япония и СССР. По
многим направлениям советская электроника занимала передовые позиции"
(Ж.И. Алфёров, лауреат Нобелевской премии, 2009 г.). В конце 1980-х гг. наша
микроэлектроника была на третьем месте в мире после США и Японии. У нас было и
собственное электронное машиностроение, и собственные системы
автоматизированного проектирования микросхем (САПР). 80% чипов изготавливались
на российском оборудовании и отечественных материалах.
Американское издание Dun's Business Month в сентябре 1983 г.
писало: "Запад беспокоит способность СССР идти в ногу с современным
уровнем развития интегральных схем. СССР создал целый ряд институтов и заводов,
специализирующихся в военной электронике в Зеленограде, городе под Москвой,
настолько секретном, что там запрещено пребывание иностранцев, а русским нужно
специальное разрешение".
В 1986 г.
было решено создать крупный Центр информатики и электроники, существенно
расширив советскую "кремниевую долину" – Зеленоград [4]. Но постановлением
ГосСовета СССР от 14.11.1991 № 13 с 1.112.1991 г. Минэлектронпром СССР был
упразднён (вместе с ним упразднены ещё 73 министерства и ведомства союзного
значения). Одним из первых своих указов Б.
Ельцин ликвидировал Министерство радиопромышленности, Министерство электронной
промышленности и Министерство среднего машиностроения СССР [4]. Многие
предприятия разорились. Комплексный характер зеленоградской науки и
промышленности был утрачен.
В постыдные 90-е на смену разработчикам-созидателям, изобретателям
и производителям пришли «просвещенные покупатели», решившие, что в обмен на
сырьё мы купим всё. Страну превращали в «банановую республику», поманив
завернутой в яркий фантик вымороченной морковкой. Сделав (не безвозмездно) своё
гнусное дело по разрушению ключевых предприятий и целых отраслей, «просвещенные
потребители» поспешили на «лечение» в более теплые климатические зоны, доверив
не столь коммерчески продвинутым «упёртым аборигенам» восстановление и развитие
критически важных для национальной безопасности отраслей промышленности.
Проблему прямого воспроизводства более 3 тыс. ИС различных зарубежных
фирм МЭП решило на основе унификации заказов на разработки ИС. С целью
оптимизации номенклатуры ЭКБ, исключения дублирования однотипных изделий в МЭП
формировались функционально-параметрические ряды ЭКБ, которые оформлялись в
виде: пятилетних КЦП по видам ИС и ежегодных перечней развиваемых серий ИС. В
1962-1990-е гг. было разработано около 23 тыс. типономиналов ИС, произведено
более 2 млрд. шт.
Микроэлектроника в «Росатоме»
Собственными разработками в
области электроники "Росатом" активно занимается с начала 2000-х
гг. [5]. Обеспечение радиационной стойкости электронной компонентной базы
всегда оставалось неизменным требованием к ЭКБ (С. Е.
Власов, директор Департамента развития научно-производственной базы ядерного
оружейного комплекса ГК "Росатом",). В советские годы Минсредмаш
сотрудничал с микроэлектронными предприятиями МЭП и МРП. В 1990-е
гг., когда электронная промышленность начала испытывать серьезные трудности,
правительство РФ приняло решение об организации в Минатоме замещающих
микроэлектронных производств, которые обеспечивали бы атомщиков электронной
компонентной базой, устойчивой к экстремальным уровням радиационного
воздействия. Это требовало особых технологий и специальных
схемотехнических решений, особых методов контроля при производстве
и приемке продукции.
На базе ФГУП "НИИ
измерительных систем им. Ю.Е.Седакова" (НИИИС) в Нижнем
Новгороде (предприятие «Росатома») были созданы производственные мощности
по радиационно-стойким технологиям, организован участок кристального
производства по технологии КнС ("кремний на сапфире")
с микронными технологическими нормами, организована сборка на гибких
полиимидных носителях и монтаж ИС в металлокерамические корпуса.
Помогали коллеги из производственного объединения "Ангстрем", которое
передавало нам технологии, помогало в становлении кадрового потенциала.
В середине 2000-х гг.
Минпромторгом РФ совместно с «Росатомом» и «Роскосмосом» была
сформирована стратегия развития электронной промышленности России, принята
концепция специализации микроэлектронных фабрик. Крупные серийные предприятия,
такие как "Микрон" или "Ангстрем" должны были
ориентироваться на массовую продукцию. Для выполнения специфических
заказов планировалось создавать замкнутые мелкосерийные производства
со специализированными технологиями. С 2008 г. «Росатом»
является одним из госзаказчиков ФЦП "Развитие ЭКБ
и радиоэлектроники", в рамках которой «Росатом» начал активно
развивать имеющиеся активы. На базе НИИИС был создан межведомственный
центр (с Минобороны и «Роскосмосом») по разработке
и производству радиационно-стойкой ЭКБ для комплектования аппаратуры
«Росатома» и «Роскосмоса». В НИИИС был сформирован полный цикл
проектирования и производства такой ЭКБ.
Проекты ИС на уровне
схемотехники создаются предприятиями-разработчиками и передаются в центр
микроэлектронного производства в НИИИС, который обеспечивает полный цикл
выпуска продукции и ее испытания. Производство кристаллов субмикронных
СБИС в НИИИС действует C 2010 г.
«Росатом» также сотрудничает с рядом
российских микроэлектронных компаний: с научно-образовательным центром
"Нанотехнологии" НИЯУ "МИФИ" (базовым национальным ядерным
университетом, в том числе в области микроэлектроники
и нанотехнологий), с НИУ МИЭТ (ведущим вузом в области
электроники). Нижегородский куст предприятий «Росатома» тесно взаимодействует
с Нижегородским госуниверситетом им. Н.И. Лобачевского
и Нижегородским ГТУ им. Р.Е. Алексеева. МИЭТ является базовой
организацией консорциума из 12 крупнейших российских вузов, имеющих компетенции
в области подготовки кадров в сфере электронной промышленности.
На предприятиях «Росатома»
ведется разработка программных систем для различных этапов жизненного
цикла изделий микроэлектроники. Решается проблема унификации ЭКБ, в результате
чего удалось вдвое сократить номенклатуру применяемых компонентов, с ориентиром
выхода на примерно сотню типономиналов за счет перехода
к высокоинтегрированным компонентам [5].
АО «Русатом Микроэлектроника»
Весной 2021 г. в составе дивизиона «АСУТП и электротехника» была создана
новая структура – АО «Русатом Микроэлектроника» (АО «РАМ», гендиректор
Ю. Хомич) с целью разработки
доверенной ЭКБ для оборудования АСУ ТП атомных и традиционных
энергогенерирующих станций, промышленных предприятий, инфраструктурных объектов
[6]. Дизайн-центром проектирования,
сертификации и испытаний ЭКБ РАМ будет заниматься вместе с компанией «Элемент» —
одним из крупнейших разработчиков и производителей микроэлектроники в России.
С Зеленоградским
нанотехнологическим центром и Московским институтом электронной техники АО
«РАМ» будет работать над сенсорами, алгоритмами обработки данных, системами
управления и радиоэлектронной аппаратурой. Сотрудничество будет осуществляться
также с ВНИИА и НИИЭФА, владеющими опытом разработки сложных приборов на
российской элементной базе. С НИИИС РАМ планирует разрабатывать
магниторезистивную оперативную память и источники питания. В РАМ планируют
разработать новый международный стандарт качества электронных компонентов —
nuclear («атомный»). Строить собственный завод по производству чипов РАМ не
будет. Фотошаблоны будут отправлять на фабрику, где чипы и напечатают [7].
В январе 2021 г. АО «РАСУ» («Русатом
автоматизированные системы управления», отраслевой интегратор бизнеса
«Электроника и микроэлектроника») подписало соглашение о сотрудничестве с
«Консорциумом дизайн-центров и предприятий радиоэлектронной промышленности»
(АКРП), направленное на
совместную деятельность по разработке и производству новой элементной базы. Это
позволяет быстрее заключать договоры с входящими в АКРП
компаниями-разработчиками электроники и ПО в рамках программ сквозных проектов
(целевых направлений).
В
июне 2021 г. АО «РАМ» подписало соглашение с Томским госуниверситетом систем
управления и радиоэлектроники, планирующего создание регионального дизайн-центр
по проектированию микроэлектронной техники.
НПО КИС
В феврале 2023 г. НПО КИС
приобрело 100% акций АО «
МЦСТ»
(Московский Центр Спарк Технологии) — разработчика процессоров на архитектуре «
Эльбрус» и
операционной системы «
Эльбрус Линукс» [8]. Ещё одним кандидатом на покупку стала
компания Kraftway, крупнейший производитель и системный интегратор
компьютерного оборудования широкого спектра [9]. Kraftway
имеет большой опыт по разработке и выпуску электроники, собственные
производственные мощности и команду разработчиков. НПО
КИС интересуют разные активы. Замысел в том, что уже существующие производители
в координации с НПО КИС будут разрабатывать и выпускать вычислительную технику
и оборудование для критической информационной инфраструктуры под запросы
госзаказчиков.
В проекте стратегии «Основы
госполитики РФ в области развития электронной промышленности на период до 2030
г. и дальнейшую перспективу» [Минпромторг, сентябрь 2022
г.] участникам рынка предлагается координировать «исследования в области
передовых технологий, увеличить мощности «за счет освоения производства микроэлектроники с
современными топологическими нормами», создать отрасль электронного
машиностроения и отказаться от иностранных архитектур при проектировании
электроники. Наиболее масштабной является задача синхронизация работы
всех предприятий полупроводниковой индустрии, смежных с ней отраслей и
потенциальных потребителей отечественных компонентов, а также профильных
институтов и образовательных учреждений, задействованных в проведении НИОКР.
В сферу интересов представителей департамента слияний и поглощений НПО КИС могут
попасть предприятия
микроэлектроники, находящиеся в особой экономической зоне Москвы [10]:
- «Ангстрем» - ЭКБ специального
назначения;
- «Микрон» - ИС для защищенных носителей данных,
RFID-маркировки;
- «Смарт Системз» -
устройства с RFID-метками;
- «Элвис» -
высокотехнологичные системы безопасности, например, радиационно стойкие
микросхемы для космических аппаратов;
- «Эпиэл» - производство кремниевых и сапфировых
эпитаксиальных структур для создания микросхем;
- «Резонит» - производство печатных плат;
- «Микроэм Технологии» - производство электронных
модулей;
- Зеленоградский нанотехнологический центр (АО «ЗНТЦ») -
производство фотонных интегральных микросхем и модулей для
телекоммуникационного оборудования;
- «Маппер» - выпуск отечественных МЭМС –
микроэлектромеханических систем;
- «Лаборатория микроприборов» - инерциальные
системы, бесплатформенные инерциальные навигационные системы и датчики угловой
скорости на основе МЭМС;
- Технопарк «Модуль» -
выпускают микрокомпьютеры, нейросетевую инфраструктуру, бортовую
аппаратуру;
НИИМЭ - исследования
в области микро- и наноэлектроники, разработки и производства полупроводниковых
изделий.
Литография
Целый
ряд российских предприятий и организаций, такие как: МЦСТ «Эльбрус», Baikal
Electronics, НТЦ «Модуль», Syntacore, НПЦ «Элвис» и др. могут создавать
процессоры для современных станков, серверов, бытовой, автомобильной и военной
техники, проектируя микрочипы в диапазоне от 65 до 180 нм [18]. Но всё
производственное оборудование импортное, в первую очередь фотолитографы. По
мнению экспертов,
помимо производства оборудования, расходных материалов и разработки новых
полупроводниковых материалов (синтетических алмазов, германена и графена),
критически важными моментами для развития производства чипов являются
литография и пластины [11].
Во всей технологической цепочке создания чипов
фотолитография является наиболее сложным и ответственным процессом. Проекционная
фотолитография с источником света в ближней ультрафиолетовой области спектра
позволяет достичь проектных норм до 28 нм и ниже. Проблема заключается в
стоимости такой литографии и производительности. Оборудование для неё одно из самых
сложных, точных и дорогих устройств в машиностроении [12].
Альтернативой масочной фотолитографии является безмасочная с разным
источником воздействия (оптическим, рентгеновским или электронным лучом) на
резистивный слой подложки. Такая технология не требует создания фотошаблонов,
позволяет легко вносить модификации при производстве конечной продукции, и
может достигнуть техпроцесса менее 10 нм [19]. Выбор фотолитографа на принципах
безмасочной фотолитографии обусловлен в том числе и тем, что из-за высокой
стоимости оборудования, дороговизны масок, сложной и дорогостоящей
инфраструктуры проекционная фотолитография становится конкурентоспособной
только при массовом производстве, которое достигает десятков миллионов чипов в
год, то есть необходим глобальный рынок.
Разработкой фотолитографов для разных проектных норм
по заказу Минпромторга занялись две зеленоградские организации. Зеленоградский
нанотехнологический центр (ЗНЦ) будет разрабатывать фотолитограф на 130 нм, а
Центр коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная
компонентная база» при НИУ «Московский институт электронной техники» (ЦКП «МСТ
и ЭКБ» МИЭТ) занялся разработкой концепции рентген-литографа на базе синхротронного
и/или плазменного источника. Аналогов такой установки в мире нет, зато задел для её
создания создан в России. Разработка такого EUV-фотолитографа была начата в 2010-е гг.
в Институте физики микроструктур (ИМФ) РАН (ныне филиал Института прикладной
физики РАН) в Нижнем Новгороде под руководством Николая Салащенко. Источник
излучения разрабатывался в Институте спектроскопии (ИСАН) РАН в подмосковном
Троицке под руководством Константина Кошелева. Российские
учёные планируют использовать в качестве источника излучения как рентгеновские
лучи, так и источник синхротронного излучения [13].
В проекте будут использованы также наработки целого ряда
НИИ и КБ, в том числе: зеленоградской компании «ЭСТО», ТНК «Зеленоград», НИЦ
«Курчатовский институт», филиала Института прикладной физики РАН в Нижнем
Новгороде, Института спектроскопии РАН в Троицке.
В 2018 г. ИПФ РАН
продемонстрировал результаты безмасочной рентгеновской литографии на длине
волны 6,7 нм. Институт имеет рентгеновские зеркала собственного производства,
лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения и прототип установки, на
которой получены первые структуры размером в 7 нм. Применяется оптический
элемент, способный фокусировать рентгеновские лучи, а не отражать их, как это
сделано в установках компании "ASML". Рентгеновская оптика была
разработана совместными усилиями института и ГК "Росатом" [15].
Ученые ЦКП «МСТ и ЭКБ» МИЭТ,
проводящие НИР по изучению возможности разработки
установки безмасочной рентгеновской нанолитографии с длиной волны 13,5 нм на
базе синхротронного и/или плазменного источника, исследуют два
варианта динамической маски на основе МОЭМС: с управлением коэффициентом
отражения рентгеновского излучения (источник
на основе паров олова, разрабатываемый «ЭУФ Лабс» из Троицка во главе с К.
Кошелевым) и с управлением коэффициентом
пропускания рентгеновского излучения (источник синхротронного излучения НИИ
физических проблем им. Ф.В. Лукина в Зеленограде, ныне технологический накопительный комплекс «Зеленоград» НИЦ
«Курчатовский институт»). Этот синхротрон целенаправленно
создавался для нужд микроэлектроники - для фотолитографии при производстве
фотошаблонов, сверхбольших и сверхбыстродействующих интегральных схем. Строить
его начали ещё в 1984 г. В 1990-е строительство остановилось, в 2002 г.
состоялся пробный пуск. В 2011 г. был создан
реально работающий образец-демонстратор литографа с рабочей длиной волны 13,5
нм. По признанию американских учёных, литограф на основе российской разработки
оказался в 1,5-2 раза эффективнее, чем у компании "ASML" [13].
На
базе этого синхротрона создается Центр новых технологий, одним из
предназначений которого является решение задач рентгенолитографии [14]. Cинхротронное излучение является следующим этапом развития
технологии фотолитографии. Дальнейшая технология будет развиваться по пути
«слоёного пирога» - транзисторы можно будет расположить только один над другим.
Это уже иной уровень, представляющий собой атомно-микроэлектронную отрасль
[16]. «Для объединения
усилий научных коллективов в создании и внедрении передовых отечественных
технологий в области микроэлектроники и новых материалов» в феврале т. г. Правительство РФ
приняло решение о присоединении к НИЦ «Курчатовский институт» ещё семи
институтов, в том числе: Института проблем проектирования в микроэлектронике,
Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова,
Федерального научно-исследовательского центра «Кристаллография и фотоника»
[20].
В
НИИ молекулярной электроники ведется разработка экспериментальной
литографической установки на электронных пучках. В 2010 г. специалисты
Института ядерной физики им Г.И. Будкера предложили создать источник для
литографических установок на базе лазера с длинной волны 13,5 нм на свободных
электронах (ЛСЭ). На данный момент такой лазер, использующий ондулятор
с плавно изменяемым периодом, создан и уже используется [19].
В Национальном центре физики и математики в Сарове,
созданном по указу Президента РФ в 2021 г. (инициатором
проекта выступила ГК «Росатом») взялись за разработку а фотолитографа на экстремальном
ультрафиолете, позволяющего печатать чипы по 5-нанометровым технологиям и ниже
[18]. По мнению научного руководителя НЦФМ ак. РАН А.
Сергеева, по сложности этот проект сравним с космической программой.
Отечественные наработки по рентгеновским зеркалам имеются в Институте физики
микроструктур, ГК «Росатом» готов предоставить мультикиловаттные лазеры. Координатором проекта является
Институт физики микроструктур РАН, где будет проводиться сборка
и тестирование всех систем. В проекте задействованы также такие
организации, как:
- ИФМ РАН (лазеры),
- НИИИС (маски и разработки техпроцессов),
- Институт лазерно-физических исследований (источники
рентгеновских излучений и лазеров),
- Группа компаний «Конструкторское бюро
радиосистем» (3D-сканеры и системы совмещения),
- ООО НПП «ТЭОС» (интерферометры для 3D-сканеров),
- ООО «ПОЛИКЕТОН» (рентгенорезисты),
- ФГУП ЭЗАН (вакуумные системы),
- ООО «ТТМ» (роботы для пластин),
- ФТИ им. А.Ф. Иоффе (рентгенорезисты
и композиции из органических полимеров и веществ, чувствительных
к излучению),
- ОАО «Планар» (системы
совмещения),
- СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова (моделирование масок).
«Росатом» или «Ростех»
Как распределятся сферы влияния в создании
микроэлектронной отрасли между госкорпорациями «Росатом» и «Ростех» пока не ясно. В июле 2019 г. «Ростех» и АФК «Система» сообщили
о создании совместного предприятия в сфере микроэлектроники
«Элемент» [21]. В новую компанию перешли почти два десятка
предприятий отрасли, в том числе несколько зеленоградских компаний.
«Росэлектроника» передала в новое предприятие зеленоградские ЦКБ «Дейтон»
и 25% компании «Ангстрем». АФК «Система» внесла акции компаний, входящих
в группу «Микрон», НИИМЭ, а также 11% доли в «Ангстреме». Одним
из ключевых активов в рамках сделки является завод «Микрон». B
«Элементе» будет создано три крупных блока — разработка технологий
и изделий, создание материалов и микроэлектронных компонентов и их
производство.
Впрочем, кто займет лидирующие позиции в этом направлении - «Росатом» или «Ростех»
и не столь важно. Главное сейчас - объединить усилия, чтобы в кратчайшие сроки
восстановить отечественную микроэлектронику, от состояния которой зависят все
ключевые высокотехнологичные отрасли экономики.
По мнению научного
руководителя Института проблем проектирования в микроэлектронике РАН, ак.
Александра Стемпковского [5]: «Мы должны
заглядывать в будущее, организовав мозговой штурм для поиска принципиально
новых технологий… А мозги у наших ученых прекрасные, надо только поставить
задачу и поддерживать… Что касается конкретно микроэлектроники, надо
действовать максимально оперативно: определить участников работ, составить
четкие дорожные карты, поставить каждому конкретные задачи со сроками и
обязательной ответственностью за исполнение. Тогда все у нас должно
получиться». В этом сомневаться не приходится.
Подготовила
Т.А. Девятова
В статье использована информация сайтов: kommersant.ru; WebExpromt; darkhon.livejournal; electronics.ru; авторский канал Электромозг; atomic-energy.ru;
ixbt.com; issp.ac.ru/journal; stimul.online/
science-and-technology; zelenograd.ru/hitech; tesstech.ru;
iz.ru/denis-gritcenko; strana-rosatom.ru; /tusur.ru; echemistry.ru; rbc.ru; tass.ru; zelenograd.ru; habrahabr.ru;
zoom.cnews.ru; bmpd.livejournal.com.
Дополнительные источники
1.
https://www.kommersant.ru/; https://russianelectronics.ru/;
2. https://darkhon.livejournal.com/
3.
Малашевич
Б.М. 55 лет инновационному Центру
микроэлектроники в Зеленограде sorucom-2017_31_Malashevich_s.pdf
4.
https://scientificrussia.ru/ Как
Россия может осуществить прорыв в микроэлектронике – «РГ»
5. https://www.electronics.rung>Электроника №9 2015
О.А.Казанцева,
И.В.Шахнович, интервью с С. Е. Власовым
6.https://rusatom-energy.ru/ В составе дивизиона «АСУТП и электротехника» создана новая
структура – АО «Русатом Микроэлектроника»
7. https://strana-rosatom.ru/ РАСУ займется
микроэлектроникой
8.
https://vc.ru/tech/Артур Томилко;
9.
https://www.kommersant.ru/ Н.Королев, Т. Корнев, Е. Волкова Структура «Росатома» купила производителя процессоров
«Эльбрус» — «Ъ»
10.
https://www.kommersant.ru/ Структуры «Росатома» интересуются Kraftway
11. www.niime.ru
12 предприятий Москвы, которые производят
микроэлектронику
12. http://www.iptm.ru/ Т.Саакян, М.Сираев, Р.Шамиловский «Яков и
Партнеры»
13. https://stimul.online/articles/science-and-technology Александр Механик, Фотолитография с
пятнадцатилетним опозданием
14. https://3dnews.ru/ В России разработают безмасочный
фотолитографический сканер
